美光转向晶圆键合与High-NA EUV推进DRAM

美光公布下一代 DRAM 技术路线：放弃 4F² 存储单元路线后，将在即将推出的 1ε DRAM 工艺中引入晶圆键合，并在后续世代采用 High-NA EUV 光刻，以继续推进 DRAM 微缩。 美光称还在开发可直接集成在处理器上方的 vHBM 和 vEIM 等新型存储。这些技术能否按计划落地、带来预期微缩效果，报道未给出验证结果。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。