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Micron 计划用晶圆键合与 High-NA EUV 推进下一代 DRAM
Micron plans to use wafer bonding and High-NA EUV for next-gen DRAM
AI 导读
Micron 放弃 4F² 存储单元路线后，将在即将推出的 1ε DRAM 工艺中引入晶圆键合，并在后续世代采用 High-NA EUV 光刻以继续微缩 DRAM。公司还在开发可直接集成在处理器上方的 vHBM 和 vEIM 等新型存储。
来源：Hacker News · tomshardware.com