Nagare Labs获500万美元种子轮,推进Z2RAM研发
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Nagare Labs获500万美元种子轮,推进Z2RAM研发
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AI 综述
Nagare Labs完成首轮种子融资,获得500万美元用于推进基于氧化物半导体的Z2RAM存储技术研发。该技术采用全晶体管存储单元并支持垂直堆叠,首代产品比特密度据称可达SRAM的5倍以上,速度接近SRAM、密度接近DRAM,制造难度低于HBM或LPDDR。 目前该技术仅有实验室原型。公司计划四年内提供可工作的Z2RAM存储单元样品,十年内实现量产发货。
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最新进展10月27日 03:50
前 Intel CEO 投资的 Z2RAM:速度接近 SRAM、密度接近 DRAM 的新型存储技术报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月27日
- Hacker News前 Intel CEO 投资的 Z2RAM:速度接近 SRAM、密度接近 DRAM 的新型存储技术
前 Intel CEO Pat Gelsinger 投资的 Nagare Labs 正推进基于氧化物半导体的 Z2RAM,其首代产品比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上,速度接近 SRAM、密度接近 DRAM。该技术采用全晶体管存储单元并支持垂直堆叠,制造难度低于 HBM 或 LPDDR,目前仅有实验室原型,公司计划四年内提供样品、十年内量产。
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