前 Intel CEO 投资的 Z2RAM：速度接近 SRAM、密度接近 DRAM 的新型存储技术

前 Intel CEO Pat Gelsinger 投资的 Nagare Labs 正推进基于氧化物半导体的 Z2RAM，其首代产品比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上，速度接近 SRAM、密度接近 DRAM。该技术采用全晶体管存储单元并支持垂直堆叠，制造难度低于 HBM 或 LPDDR，目前仅有实验室原型，公司计划四年内提供样品、十年内量产。