美光跳过G10直推G11 NAND，超400层
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美光跳过G10直推G11 NAND，超400层
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AI 综述
美光宣布跳过原计划的G10一代，直接从G9 3D-NAND跃升至G11。美光称新节点相比G9实现两倍bit密度、最高1.5倍I/O速度提升，传输每bit所需能耗降低25%。 美光称G11将超过400层，计划于明年下半年量产爬坡，具体细节将在接近发布时公布。
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最新进展10月26日 01:47
Micron 跳过 G10 直接推进 G11 3D-NAND，超 400 层报道时间线
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10月26日
- Hacker NewsMicron 跳过 G10 直接推进 G11 3D-NAND，超 400 层
Micron 宣布跳过原计划的 G10 一代，直接从 G9 3D-NAND 跃升至 G11，新节点相比 G9 实现两倍 bit 密度、最高 1.5 倍 I/O 速度提升，传输每 bit 所需能耗降低 25%。
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