Micron 跳过 G10 直接推进 G11 3D-NAND，超 400 层

Micron 宣布跳过原计划的 G10 一代，直接从 G9 3D-NAND 跃升至 G11，新节点相比 G9 实现两倍 bit 密度、最高 1.5 倍 I/O 速度提升，传输每 bit 所需能耗降低 25%。