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Akash Systems 称金刚石基氮化镓可提升航天射频性能

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AI 综述

Akash Systems 分析称,GaN-on-Diamond(金刚石基氮化镓)技术可为航天通信射频链路争取更多热余量。该公司给出的对比是:单晶金刚石热导率约 2,200 W/m·K,而碳化硅(SiC)为 380–450 W/m·K,前者约为后者的五到六倍。 按 Akash Systems 的说法,更低的沟道温度可支撑更高的持续输出、降低直流功耗,并缩小热管理硬件的尺寸与质量。这些均为该公司提出的技术判断,报道未给出实测或应用验证结果。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月23日
  1. Hacker News
    Akash Systems 谈 GaN-on-Diamond 如何提升航天通信 RF 性能

    Akash Systems 分析 GaN-on-Diamond 技术如何为航天 RF 链路争取热余量。单晶金刚石热导率约 2,200 W/m·K,而 SiC 为 380–450 W/m·K,约五到六倍。更低沟道温度可支撑更高持续输出、降低直流功耗,并缩小热管理硬件尺寸与质量。

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